Алферов Жорес Иванович

Жорес Иванович Алферов (белор. Жарэс Алфёраў * 15 марта 1930, Витебск) – советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто-и микроэлектронных компонент, академик РАН. Его исследования имели большую роль в информатике. Депутат государственной думы РФ. Есть ректором-организатором Академического физико-технологического университета. В 2004 году Ж. Алферова была признана почетным членом Национальной Академии наук Азербайджана.
Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 в Витебске.
Он поступил в Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ленина ((«ЛЭТИ»)), на факультет электроники, по специальности электровакуумные техника. Окончил институт в 1952 году.
С 1953 года Жорес Алферов работает в физико-техническом институте РАН им. А. Ф. Иоффе, возглавив его в 1987 году.
В 1961 году Алферов получил степень кандидата технических наук. В 1970 году он получает степень доктора физико-математических наук.
В 1972 году Жорес Иванович Алферов стал профессором ЛЭТИ. С 1973 года стал заведующим кафедрой оптоэлектроники этого института.
В период с 1990 до 1991 года Жорес Алферов занимал должность вице-президента АН СССР и председателя президиума Ленинградского научного центра.
В 1988 году Жорес Алферов стал деканом физико-технического факультета Ленинградского политехнического института.
С 1991 года Жорес Иванович Алферов – вице-президент РАН и председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Жорес Алферов работает в области физики полупроводников, квантовой и полупроводниковой электроники, технической физики.
Алферов и Путин Жорес Иванович принимал участие в создании первых советских транзисторов, фотодиодов и мощных германиевых выпрямителей.
Жорес Алферов открыл явление надинжекции в гетероструктурах. Он показал, что в гетероструктурах можно принципиально иначе управлять световыми и электронными потоками. Жорес Иванович Алферов открыл первые («идеальные») гетероструктуры: арсенид алюминия – арсенид галлия (Al As – Ga As).
Жорес Иванович Алферов создал полупроводниковые лазеры на основе двойных гетероструктур, реализовал непрерывный режим генерации при комнатной температуре.
В результате работы Алферова появилось новое направление – физика гетероструктур, а также оптоэлектроника и электроника на их основе.
Жорес Алферьов – главный редактор журнала («Письма в Журнал технической физики»).
Алферов – автор более 50 изобретений и 500 научных работ, в частности трех монографий.
Жорес Иванович награжден орденами Октябрьской Революции, Ленина («Знак Почета»), Трудового Красного Знамени («За заслуги перед Отечеством») 3 степени, различными медалями СССР и Российской Федерации, японской премией Киото (Kyoto Prize) за 2001 год.
Жорес Иванович Алферов вместе с Гербертом Кремером удостоен Нобелевской премии по физике за 2000 год. Они вместе открыли быстрые опто-и микроэлектронные компоненты на базе многослойных полупроводниковых структур (полупроводниковых гетероструктур. На базе этих технологий были созданы быстрые транзисторы и лазерные диоды.